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高德红外在碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器方面取得突破

2019-06-04 10:20
来源: 微迷网

据麦姆斯咨询报道,高德红外6月3日晚间发布公告,公司碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器项目通过科技成果评价。这是高德红外继掌握非制冷1280 x 1024@12μm红外探测器芯片研制技术后,在制冷型大规模探测器芯片领域取得的又一重大突破。为我国大面阵、小像元碲镉汞红外焦平面探测器芯片产业化扫除障碍,打破红外成像系统中高端核心芯片的技术垄断、实现进口替代。

高德红外是一家以“研产销”红外热像仪为核心的综合光电系统及配套产品公司,业务共有5个板块,分别为红外热成像仪及综合光电系统、传统弹药及信息化弹药、房屋出租、技术服务和其他,其中2018年红外热像仪及综合光电系统业务为高德红外贡献了近60%的营收。

6月3日高德红外披露的最新通过成果评价的项目,源自2016年的定增募资。当年高德红外定增募资7.38亿元,用于新型高科技武器系统研发及产业化项目基地、制冷型碲镉汞及II类超晶格红外探测器产业化项目建设,以及补充流动资金。

其中制冷型碲镉汞及II类超晶格红外探测器产业化项目一再延期。2018年报显示,制冷型碲镉汞及Ⅱ类超晶格红外探测器产业化项目承诺投入金额1.54亿元,截至去年底已投入7043.2万元,截至去年底完成投资进度45.76%,项目达到预定可使用状态日期为2019年12月31日。

高德红外6月3日晚间公告显示, 公司研制的1280 x 1024规模、12μm像元尺寸的制冷型探测器芯片使用的敏感材料、最大面阵及最小像元等指标都代表着我国制冷型红外探测器芯片研发与制造的最高水平,大幅提升了红外热像仪系统的空间分辨率,提高了探测距离、识别距离,大力推动了红外焦平面探测器芯片技术朝大面阵规格、小像元尺寸方向发展,为我国关键基础材料和核心元器件技术的快速发展提供重要保障。

结合公司现已建成的制冷探测器芯片批产线优势,该碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器芯片的研制成功将大幅度提升高端红外热成像产品性能指标,为我国大面阵、小像元碲镉汞红外焦平面探测器芯片产业化扫除障碍,打破红外成像系统中高端核心芯片的技术垄断、实现进口替代,有力促进了我国高端碲镉汞材料和探测器芯片产业核心能力的提升。

高德红外表示,公司募集资金投资项目建设的制冷型碲镉汞及Ⅱ类超晶格红外探测器产业化项目现正处于产业化建设阶段,经济效益需要一定时间才能体现。

2018年高德红外营业收入为10.8亿元,同比增长6.61%,其中红外热成像仪及综合光电系统收入为6.20亿元,同比增长5.47%。就去年红外热成像仪及综合光电系统收入增速放缓,高德红外最新披露的机构调研中指出,自军改相关工作开始至今,具体改革工作对参与军工研制生产的公司经营业务产生了一系列的影响,从而直接影响了公司2018年业绩。

就公司与美的合作的具体情况,高德红外在调研中透露,公司与美的合作的智能空调采用的是全被动红外方式,在国际上,日本推出的智能空调采用的是主动红外技术,主动红外需要空调来回扫描,不仅存在视野盲区,还大大增加了空调的功耗。

采用全被动红外的智能空调主要是监控温度,根据房间内人的体温自动调节。目前公司与美的集团成立的联合实验室目前已开发出研发样机,同时非制冷晶圆级封装生产线已实现批产,将加快产品的研发进度和红外热成像产品在智慧家居领域的推广。

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